Nexperia USA Inc. - NX7002BKR

KEY Part #: K6417535

NX7002BKR Цены (доллары США) [2506603шт сток]

  • 1 pcs$0.01483
  • 3,000 pcs$0.01476

номер части:
NX7002BKR
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. NX7002BKR electronic components. NX7002BKR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NX7002BKR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX7002BKR Атрибуты продукта

номер части : NX7002BKR
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 270mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 23.6pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236AB
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в