Vishay Siliconix - SI8810EDB-T2-E1

KEY Part #: K6397557

SI8810EDB-T2-E1 Цены (доллары США) [644086шт сток]

  • 1 pcs$0.05771
  • 3,000 pcs$0.05743

номер части:
SI8810EDB-T2-E1
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI8810EDB-T2-E1 electronic components. SI8810EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8810EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8810EDB-T2-E1 Атрибуты продукта

номер части : SI8810EDB-T2-E1
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 245pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 4-Microfoot
Пакет / Дело : 4-XFBGA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.