Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. W987D2HBJX7E TR

Winbond Electronics - W987D2HBJX7E TR

KEY Part #: K942478

W987D2HBJX7E TR Цены (доллары США) [47612шт сток]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
номер части:
W987D2HBJX7E TR
производитель:
Winbond Electronics
Подробное описание:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Компараторы, Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, PMIC - регуляторы напряжения - линейный, Часы / Сроки - для конкретного приложения, Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, PMIC - AC DC преобразователи, автономные коммутато and Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR electronic components. W987D2HBJX7E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D2HBJX7E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E TR Атрибуты продукта

номер части : W987D2HBJX7E TR
производитель : Winbond Electronics
Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPSDR
Размер памяти : 128Mb (4M x 32)
Тактовая частота : 133MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5.4ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-TFBGA
Комплект поставки устройства : 90-VFBGA (8x13)

Последние новости

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Вы также можете быть заинтересованы в
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Горячие части