STMicroelectronics - STL200N45LF7

KEY Part #: K6419431

STL200N45LF7 Цены (доллары США) [111667шт сток]

  • 1 pcs$0.33123
  • 3,000 pcs$0.29366

номер части:
STL200N45LF7
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STL200N45LF7 electronic components. STL200N45LF7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL200N45LF7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL200N45LF7 Атрибуты продукта

номер части : STL200N45LF7
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
Серии : STripFET™ F7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 45V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5170pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerFlat™ (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в