RMPG06BHE3_A/54 Цены (доллары США) [962649шт сток]
- 1 pcs$0.04055
- 16,500 pcs$0.04034
- номер части:
- RMPG06BHE3_A/54
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 100V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06BHE3_A/54 electronic components. RMPG06BHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06BHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06BHE3_A/54 Атрибуты продукта
номер части :
RMPG06BHE3_A/54
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
150ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
MPG06, Axial
Комплект поставки устройства :
MPG06
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Горячие части
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73