Vishay Siliconix - SIA907EDJT-T1-GE3

KEY Part #: K6523272

SIA907EDJT-T1-GE3 Цены (доллары США) [431769шт сток]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

номер части:
SIA907EDJT-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 electronic components. SIA907EDJT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA907EDJT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA907EDJT-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIA907EDJT-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 P-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Мощность - Макс : 7.8W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.