Infineon Technologies - IDW12G65C5XKSA1

KEY Part #: K6443881

IDW12G65C5XKSA1 Цены (доллары США) [13854шт сток]

  • 1 pcs$2.70590
  • 10 pcs$2.44500
  • 100 pcs$2.02409
  • 500 pcs$1.76256
  • 1,000 pcs$1.53514

номер части:
IDW12G65C5XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IDW12G65C5XKSA1 electronic components. IDW12G65C5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW12G65C5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW12G65C5XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IDW12G65C5XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3
Серии : CoolSiC™
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 12A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 12A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 190µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : 360pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-8EWS08S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08TA60C-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

  • VSB1545-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-8ETU04STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.