STMicroelectronics - VNL5090S5TR-E

KEY Part #: K1213573

VNL5090S5TR-E Цены (доллары США) [212339шт сток]

  • 1 pcs$0.19368
  • 2,500 pcs$0.17558
  • 5,000 pcs$0.16680
  • 12,500 pcs$0.16053
  • 25,000 pcs$0.15551

номер части:
VNL5090S5TR-E
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IC DVR SWITCH LOW SIDE 8SOIC. Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Управление питанием - Специализированный, Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, Часы / Сроки - для конкретного приложения, PMIC - Драйверы дисплея, Интерфейс - Модули, Интерфейс - Модемы - ИС и модули, PMIC - светодиодные драйверы and Логика - Компараторы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics VNL5090S5TR-E electronic components. VNL5090S5TR-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VNL5090S5TR-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VNL5090S5TR-E Атрибуты продукта

номер части : VNL5090S5TR-E
производитель : STMicroelectronics
Описание : IC DVR SWITCH LOW SIDE 8SOIC
Серии : OMNIFET III™, VIPower™
Состояние детали : Active
Тип переключателя : General Purpose
Количество выходов : 1
Соотношение - Вход: Выход : 1:1
Конфигурация выхода : Low Side
Тип выхода : N-Channel
Интерфейс : On/Off
Напряжение - Нагрузка : 36V (Max)
Напряжение - питание (Vcc / Vdd) : -
Ток - Выход (Макс) : 13A
Rds On (Тип) : 90 mOhm (Max)
Тип ввода : Non-Inverting
Характеристики : Auto Restart, Status Flag
Защита от сбоев : Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SO

Вы также можете быть заинтересованы в