Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT47H64M8SH-25E AIT:H

Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H

KEY Part #: K938190

MT47H64M8SH-25E AIT:H Цены (доллары США) [19486шт сток]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,518 pcs$2.35152
номер части:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы, PMIC - полные, полумостовые драйверы, Linear - Усилители - Видео усилители и модули, Logic - Вентили и инверторы - многофункциональные,, PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя, Логика - Ворота и Инверторы, PMIC - Учет энергии and Память - Конфигурация Proms для FPGA ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H electronic components. MT47H64M8SH-25E AIT:H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H64M8SH-25E AIT:H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H Атрибуты продукта

номер части : MT47H64M8SH-25E AIT:H
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 400ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-FBGA (10x18)

Последние новости

Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron LPDRAM
Micron NAND Flash
Micron NAND-Based MCP
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Вы также можете быть заинтересованы в
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Горячие части