GeneSiC Semiconductor - MBR200150CTR

KEY Part #: K6468519

MBR200150CTR Цены (доллары США) [1317шт сток]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681

номер части:
MBR200150CTR
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR electronic components. MBR200150CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR200150CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200150CTR Атрибуты продукта

номер части : MBR200150CTR
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Серии : -
Состояние детали : Active
Конфигурация диода : 1 Pair Common Anode
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) : 100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 880mV @ 100A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 3mA @ 150V
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Twin Tower
Комплект поставки устройства : Twin Tower
Вы также можете быть заинтересованы в
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBF4416A

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 15MA SOT23.

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.