Vishay Siliconix - SI4808DY-T1-E3

KEY Part #: K6522058

SI4808DY-T1-E3 Цены (доллары США) [103241шт сток]

  • 1 pcs$0.38063
  • 2,500 pcs$0.37874

номер части:
SI4808DY-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4808DY-T1-E3 electronic components. SI4808DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4808DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4808DY-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI4808DY-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Серии : LITTLE FOOT®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Мощность - Макс : 1.1W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SO

Вы также можете быть заинтересованы в