Taiwan Semiconductor Corporation - RS3K M6G

KEY Part #: K6457765

RS3K M6G Цены (доллары США) [671462шт сток]

  • 1 pcs$0.05509

номер части:
RS3K M6G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS3K M6G electronic components. RS3K M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3K M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3K M6G Атрибуты продукта

номер части : RS3K M6G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 500ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34JHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM