Infineon Technologies - BSD840NH6327XTSA1

KEY Part #: K6525381

BSD840NH6327XTSA1 Цены (доллары США) [765502шт сток]

  • 1 pcs$0.04832
  • 3,000 pcs$0.03132

номер части:
BSD840NH6327XTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1 electronic components. BSD840NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD840NH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD840NH6327XTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSD840NH6327XTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 0.26nC @ 2.5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 78pF @ 10V
Мощность - Макс : 500mW
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : PG-SOT363-6

Вы также можете быть заинтересованы в