GeneSiC Semiconductor - GA03JT12-247

KEY Part #: K6404199

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 electronic components. GA03JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA03JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : GA03JT12-247

производитель : GeneSiC Semiconductor

Описание : TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

Серии : -

Состояние детали : Obsolete

Тип FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3A (Tc) (95°C)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 3A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : 15W (Tc)

Рабочая Температура : 175°C (TJ)

Тип монтажа : Through Hole

Комплект поставки устройства : TO-247AB

Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в

AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.
IPA50R380CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.
IPA50R190CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.

Горячие части