Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра
  5. BLS7G3135L-350P,11

Ampleon USA Inc. - BLS7G3135L-350P,11

KEY Part #: K6466296

BLS7G3135L-350P,11 Цены (доллары США) [110шт сток]

  • 1 pcs$414.84876
  • 10 pcs$408.41798
номер части:
BLS7G3135L-350P,11
производитель:
Ampleon USA Inc.
Подробное описание:
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLS7G3135L-350P,11 electronic components. BLS7G3135L-350P,11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLS7G3135L-350P,11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLS7G3135L-350P,11 Атрибуты продукта

номер части : BLS7G3135L-350P,11
производитель : Ampleon USA Inc.
Описание : RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип Транзистора : LDMOS (Dual), Common Source
частота : 3.5GHz
Усиление : 10dB
Напряжение - тест : 32V
Текущий рейтинг : -
Коэффициент шума : -
Текущий - Тест : 200mA
Выходная мощность : 320W
Напряжение - Номинальная : 65V
Пакет / Дело : SOT539A
Комплект поставки устройства : SOT539A
Вы также можете быть заинтересованы в
  • J211-D74Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 20MA TO92.

  • MMBFJ309

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 30MA SOT23.

  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

Горячие части