Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB8AT-E3/81

KEY Part #: K6456442

UGB8AT-E3/81 Цены (доллары США) [116523шт сток]

  • 1 pcs$0.31742
  • 800 pcs$0.29730

номер части:
UGB8AT-E3/81
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8AT-E3/81 electronic components. UGB8AT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8AT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB8AT-E3/81 Атрибуты продукта

номер части : UGB8AT-E3/81
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 30ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single

  • BYWB29-100HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-200HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-50HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass

  • BYWB29-150HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass