Vishay Siliconix - SQJA80EP-T1_GE3

KEY Part #: K6405133

SQJA80EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [157040шт сток]

  • 1 pcs$0.23553
  • 3,000 pcs$0.21196

номер части:
SQJA80EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJA80EP-T1_GE3 electronic components. SQJA80EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJA80EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJA80EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJA80EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 68W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMP6110SVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET BVDSS 41V 60V TSOT26.

  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR6215TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFR4620TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • R6030KNXC7

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM.

  • SI2307-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-23 PACKAGE.