Vishay Siliconix - SIHG80N60E-GE3

KEY Part #: K6398604

SIHG80N60E-GE3 Цены (доллары США) [6840шт сток]

  • 1 pcs$5.78639
  • 10 pcs$5.26064
  • 100 pcs$4.47161
  • 500 pcs$3.81403

номер части:
SIHG80N60E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3 electronic components. SIHG80N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG80N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG80N60E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG80N60E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 443nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6900pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 520W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.