IXYS - IXTM12N100

KEY Part #: K6400899

[3237шт сток]


    номер части:
    IXTM12N100
    производитель:
    IXYS
    Подробное описание:
    POWER MOSFET TO-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in IXYS IXTM12N100 electronic components. IXTM12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM12N100 Атрибуты продукта

    номер части : IXTM12N100
    производитель : IXYS
    Описание : POWER MOSFET TO-3
    Серии : GigaMOS™
    Состояние детали : Last Time Buy
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4000pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-204AA
    Пакет / Дело : TO-204AA, TO-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.