Rohm Semiconductor - RGTH00TS65DGC11

KEY Part #: K6421770

RGTH00TS65DGC11 Цены (доллары США) [18373шт сток]

  • 1 pcs$2.24316
  • 10 pcs$2.00122
  • 25 pcs$1.80123
  • 100 pcs$1.64108
  • 250 pcs$1.48098
  • 500 pcs$1.32889
  • 1,000 pcs$1.06327

номер части:
RGTH00TS65DGC11
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RGTH00TS65DGC11 electronic components. RGTH00TS65DGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGTH00TS65DGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTH00TS65DGC11 Атрибуты продукта

номер части : RGTH00TS65DGC11
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 85A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 200A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Мощность - Макс : 277W
Энергия переключения : -
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 94nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 39ns/143ns
Условия испытаний : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 54ns
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247N

Вы также можете быть заинтересованы в