Winbond Electronics - W97AH6KBVX2E TR

KEY Part #: K939812

W97AH6KBVX2E TR Цены (доллары США) [27053шт сток]

1 pcs$2.46642
3,500 pcs$2.45415

номер части:: W97AH6KBVX2E TR

производитель:: Winbond Electronics

Подробное описание:: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C T&R

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - расширители ввода / вывода, PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя, Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS), Linear - Усилители - Видео усилители и модули, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, PMIC - зарядные устройства and Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Winbond Electronics W97AH6KBVX2E TR electronic components. W97AH6KBVX2E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W97AH6KBVX2E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

W97AH6KBVX2E TR Атрибуты продукта

номер части : W97AH6KBVX2E TR

производитель : Winbond Electronics

Описание : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип памяти : Volatile

Формат памяти : DRAM

Технология : SDRAM - Mobile LPDDR2

Размер памяти : 1Gb (64M x 16)

Тактовая частота : 400MHz

Время цикла записи - слово, страница : 15ns

Время доступа : -

Интерфейс памяти : Parallel

Напряжение - Поставка : 1.14V ~ 1.95V

Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : 134-VFBGA

Комплект поставки устройства : 134-VFBGA (10x11.5)

Последние новости

Winbond NOR Product Portfolio

Winbond DRAM Product Portfolio

Вы также можете быть заинтересованы в

N01S818HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT
N01S830HAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM
N01S830BAT22I

ON Semiconductor

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT
MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.
R1LP5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

English русский