Infineon Technologies - IPL60R365P7AUMA1

KEY Part #: K6419032

IPL60R365P7AUMA1 Цены (доллары США) [88338шт сток]

  • 1 pcs$0.44983
  • 3,000 pcs$0.44759

номер части:
IPL60R365P7AUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPL60R365P7AUMA1 electronic components. IPL60R365P7AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL60R365P7AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R365P7AUMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPL60R365P7AUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 365 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 555pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 46W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-VSON-4
Пакет / Дело : 4-PowerTSFN

Вы также можете быть заинтересованы в