S1FLB-M-08 Цены (доллары США) [1478599шт сток]
- 1 pcs$0.02502
- 30,000 pcs$0.01827
- номер части:
- S1FLB-M-08
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GP 100V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1FLB-M-08 electronic components. S1FLB-M-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1FLB-M-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1FLB-M-08 Атрибуты продукта
номер части :
S1FLB-M-08
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GP 100V 700MA DO219AB
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
700mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
1.8µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 100V
Емкость @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-219AB
Комплект поставки устройства :
DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
-
CSD01060E-TR
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
-
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
-
BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
-
MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
-
MMBD914LT1HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
Горячие части
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215