Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB120PBF

KEY Part #: K6444014

VS-HFA08TB120PBF Цены (доллары США) [15157шт сток]

  • 1 pcs$2.51199
  • 10 pcs$2.25506
  • 25 pcs$2.13175
  • 100 pcs$1.84755
  • 250 pcs$1.75279
  • 500 pcs$1.57277
  • 1,000 pcs$1.32643

номер части:
VS-HFA08TB120PBF
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120PBF electronic components. VS-HFA08TB120PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TB120PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB120PBF Атрибуты продукта

номер части : VS-HFA08TB120PBF
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Серии : HEXFRED®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 3.3V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 95ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.