GeneSiC Semiconductor - GB10MPS17-247

KEY Part #: K6441303

GB10MPS17-247 Цены (доллары США) [3816шт сток]

  • 1 pcs$11.35085

номер части:
GB10MPS17-247
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A SiC Power Schottky Diode
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 electronic components. GB10MPS17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10MPS17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10MPS17-247 Атрибуты продукта

номер части : GB10MPS17-247
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1700V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 50A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.8V @ 10A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 12µA @ 1700V
Емкость @ Vr, F : 669pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247-2
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode