ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR81280B-3DBLI-TR

KEY Part #: K936877

IS43DR81280B-3DBLI-TR Цены (доллары США) [15330шт сток]

  • 1 pcs$3.57631
  • 2,000 pcs$3.55852

номер части:
IS43DR81280B-3DBLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA. DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - кодеки, PMIC - Терморегулирование, Embedded - CPLD (сложные программируемые логически, Интерфейс - Терминаторы Сигнала, Сбор данных - аналого-цифровые преобразователи (АЦ, PMIC - Регуляторы напряжения - Линейные регуляторы, Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS) and Логика - Защелки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBLI-TR electronic components. IS43DR81280B-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR81280B-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR81280B-3DBLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43DR81280B-3DBLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 1Gb (128M x 8)
Тактовая частота : 333MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 450ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TWBGA (8x10.5)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16