Vishay Siliconix - SI1499DH-T1-E3

KEY Part #: K6404913

SI1499DH-T1-E3 Цены (доллары США) [324558шт сток]

  • 1 pcs$0.11396
  • 3,000 pcs$0.10724

номер части:
SI1499DH-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI1499DH-T1-E3 electronic components. SI1499DH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1499DH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1499DH-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI1499DH-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 650pF @ 4V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-70-6 (SOT-363)
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в