Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. MT47H32M16NF-25E AAT:H

Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AAT:H

KEY Part #: K936916

MT47H32M16NF-25E AAT:H Цены (доллары США) [15404шт сток]

  • 1 pcs$2.98960
  • 1,368 pcs$2.97472
номер части:
MT47H32M16NF-25E AAT:H
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Embedded - система на чипе (SoC), Линейные - аналоговые множители, делители, PMIC - Терморегулирование, PMIC - ИЛИ контроллеры, идеальные диоды, Сбор данных - цифровые потенциометры, Память - Батареи, Embedded - CPLD (сложные программируемые логически and Специализированные микросхемы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT:H electronic components. MT47H32M16NF-25E AAT:H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AAT:H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AAT:H Атрибуты продукта

номер части : MT47H32M16NF-25E AAT:H
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 400ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 84-TFBGA
Комплект поставки устройства : 84-FBGA (8x12.5)

Последние новости

Micron NAND-Based MCP
Micron LPDRAM
Micron NAND Flash
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Вы также можете быть заинтересованы в
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA

Горячие части