STMicroelectronics - STW28N60DM2

KEY Part #: K6417197

STW28N60DM2 Цены (доллары США) [25997шт сток]

  • 1 pcs$2.67505
  • 10 pcs$2.38771
  • 100 pcs$1.95777
  • 500 pcs$1.58529
  • 1,000 pcs$1.33700

номер части:
STW28N60DM2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 21A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STW28N60DM2 electronic components. STW28N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW28N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW28N60DM2 Атрибуты продукта

номер части : STW28N60DM2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 21A
Серии : MDmesh™ DM2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1500pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 170W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • SPA20N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220.