ON Semiconductor - BSS123LT1G

KEY Part #: K6421379

BSS123LT1G Цены (доллары США) [1755611шт сток]

  • 1 pcs$0.02107
  • 3,000 pcs$0.01961

номер части:
BSS123LT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor BSS123LT1G electronic components. BSS123LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123LT1G Атрибуты продукта

номер части : BSS123LT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 170mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 20pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 225mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в