GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Подробное описание:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : MBR600200CT

производитель : GeneSiC Semiconductor

Описание : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Серии : -

Состояние детали : Active

Конфигурация диода : 1 Pair Common Cathode

Диодный Тип : Schottky

Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V

Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) : 300A

Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 920mV @ 300A

скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Обратное время восстановления (trr) : -

Ток - обратная утечка @ Vr : 3mA @ 200V

Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Тип монтажа : Chassis Mount

Пакет / Дело : Twin Tower

Комплект поставки устройства : Twin Tower

Вы также можете быть заинтересованы в

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Горячие части