Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. W949D2DBJX5E TR

Winbond Electronics - W949D2DBJX5E TR

KEY Part #: K941468

W949D2DBJX5E TR Цены (доллары США) [36941шт сток]

  • 1 pcs$2.33571
номер части:
W949D2DBJX5E TR
производитель:
Winbond Electronics
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Управление батареями, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, Логика - Переводчики, Шифтеры, Сбор данных - цифровые потенциометры, PMIC - ИЛИ контроллеры, идеальные диоды, PMIC - зарядные устройства, PMIC - Супервайзеры and PMIC - Драйверы для ворот ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR electronic components. W949D2DBJX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D2DBJX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5E TR Атрибуты продукта

номер части : W949D2DBJX5E TR
производитель : Winbond Electronics
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-TFBGA
Комплект поставки устройства : 90-VFBGA (8x13)

Последние новости

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы также можете быть заинтересованы в
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • 25AA1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 24LC1026T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V SER EE 128 BYTE EXT

  • 25LC1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 24LC1025T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128KX8 2.5V SER EE 128 BYTE PAGE

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

Горячие части