NRVHPD660T4G Цены (доллары США) [229084шт сток]
- 1 pcs$0.16146
- 2,500 pcs$0.14674
- номер части:
- NRVHPD660T4G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers PUF 6A 600V IN DPAK
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in ON Semiconductor NRVHPD660T4G electronic components. NRVHPD660T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVHPD660T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVHPD660T4G Атрибуты продукта
номер части :
NRVHPD660T4G
производитель :
ON Semiconductor
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
6A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
3V @ 6A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
50ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
30µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства :
DPAK
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Горячие части
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G