Infineon Technologies - AUIRF1018E

KEY Part #: K6418700

AUIRF1018E Цены (доллары США) [73688шт сток]

  • 1 pcs$0.53063
  • 1,000 pcs$0.48681

номер части:
AUIRF1018E
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF1018E electronic components. AUIRF1018E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF1018E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF1018E Атрибуты продукта

номер части : AUIRF1018E
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 79A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2290pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в