NSB8KT-E3/81 Цены (доллары США) [143207шт сток]
- 1 pcs$0.25828
- 800 pcs$0.24191
- номер части:
- NSB8KT-E3/81
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8KT-E3/81 electronic components. NSB8KT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8KT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8KT-E3/81 Атрибуты продукта
номер части :
NSB8KT-E3/81
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 8A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
TO-263AB
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
-
-
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
-
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,100V,TRENCH SKY RECT.
Горячие части
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08