ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1

KEY Part #: K934923

IS46R16320E-6BLA1 Цены (доллары США) [13531шт сток]

  • 1 pcs$3.38652

номер части:
IS46R16320E-6BLA1
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Переводчики, Шифтеры, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Интерфейс - кодеки, Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном, Память - Конфигурация Proms для FPGA, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение and Часы / Время - Линии задержки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1 electronic components. IS46R16320E-6BLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA1 Атрибуты продукта

номер части : IS46R16320E-6BLA1
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TFBGA (13x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • W25Q128FVEJQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH MEMORY 128MB.

  • M27W402-100B6

    STMicroelectronics

    IC EPROM 4K PARALLEL 40DIP.

  • IS61LV12824-10TQI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

  • IS61LV12824-10TQ-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v

  • M27V322-100B1

    STMicroelectronics

    IC EPROM 32M PARALLEL 42DIP.

  • M27V160-100XB1

    STMicroelectronics

    IC EPROM 16M PARALLEL 42DIP.