Infineon Technologies - IPS65R1K0CEAKMA1

KEY Part #: K6420855

IPS65R1K0CEAKMA1 Цены (доллары США) [272498шт сток]

  • 1 pcs$0.13574
  • 1,500 pcs$0.12460

номер части:
IPS65R1K0CEAKMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1 electronic components. IPS65R1K0CEAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS65R1K0CEAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS65R1K0CEAKMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPS65R1K0CEAKMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 328pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 37W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в