Diodes Incorporated - 1N4007G-T

KEY Part #: K6456884

1N4007G-T Цены (доллары США) [1948362шт сток]

  • 1 pcs$0.02597
  • 5,000 pcs$0.02584
  • 10,000 pcs$0.02297
  • 25,000 pcs$0.02153
  • 50,000 pcs$0.01909

номер части:
1N4007G-T
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers 1.0A 1000V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4007G-T electronic components. 1N4007G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4007G-T Атрибуты продукта

номер части : 1N4007G-T
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-41
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • RURD420S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • VS-15EVU06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 15A SlimDPAK FRED

  • VS-15EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 15A SlimDPAK FRED

  • VS-8EVH06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED