IXYS - IXFT88N30P

KEY Part #: K6394931

IXFT88N30P Цены (доллары США) [10025шт сток]

  • 1 pcs$4.11070
  • 90 pcs$2.91175

номер части:
IXFT88N30P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 88A TO268.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT88N30P electronic components. IXFT88N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT88N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT88N30P Атрибуты продукта

номер части : IXFT88N30P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Серии : HiPerFET™, PolarP2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 88A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 600W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA