ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-3DBLI-TR

KEY Part #: K937844

IS43DR16320C-3DBLI-TR Цены (доллары США) [18285шт сток]

  • 1 pcs$2.99832
  • 2,500 pcs$2.98340

номер части:
IS43DR16320C-3DBLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS), Интерфейс - Интерфейс датчика и детектора, Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, Логика - FIFOs Memory, Интерфейс - Специализированный, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс and PMIC - лазерные драйверы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI-TR electronic components. IS43DR16320C-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320C-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320C-3DBLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43DR16320C-3DBLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR2
Размер памяти : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частота : 333MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 450ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 84-TFBGA
Комплект поставки устройства : 84-TWBGA (8x12.5)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS61LF6436A-8.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C