NXP USA Inc. - PSMN050-80PS,127

KEY Part #: K6415217

[12486шт сток]


    номер части:
    PSMN050-80PS,127
    производитель:
    NXP USA Inc.
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN050-80PS,127 electronic components. PSMN050-80PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN050-80PS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN050-80PS,127 Атрибуты продукта

    номер части : PSMN050-80PS,127
    производитель : NXP USA Inc.
    Описание : MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 633pF @ 12V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 56W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-220AB
    Пакет / Дело : TO-220-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.