Vishay Siliconix - IRF510SPBF

KEY Part #: K6399934

IRF510SPBF Цены (доллары США) [63618шт сток]

  • 1 pcs$0.53935
  • 10 pcs$0.47747
  • 100 pcs$0.37746
  • 500 pcs$0.27691
  • 1,000 pcs$0.21861

номер части:
IRF510SPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRF510SPBF electronic components. IRF510SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF510SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF510SPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF510SPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 180pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.