ON Semiconductor - FFSB3065B-F085

KEY Part #: K6425060

FFSB3065B-F085 Цены (доллары США) [20521шт сток]

  • 1 pcs$2.00827

номер части:
FFSB3065B-F085
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
650V 30A SIC SBD GEN1.5. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD G EN1.5
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FFSB3065B-F085 electronic components. FFSB3065B-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFSB3065B-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FFSB3065B-F085 Атрибуты продукта

номер части : FFSB3065B-F085
производитель : ON Semiconductor
Описание : 650V 30A SIC SBD GEN1.5
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 73A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 30A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 40µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : 1280pF @ 1V, 100kHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : D2PAK-3 (TO-263)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.