Vishay Semiconductor Diodes Division - SS1FL4HM3/H

KEY Part #: K6455617

SS1FL4HM3/H Цены (доллары США) [874685шт сток]

  • 1 pcs$0.04462
  • 3,000 pcs$0.04440
  • 6,000 pcs$0.04171
  • 15,000 pcs$0.03902
  • 30,000 pcs$0.03588

номер части:
SS1FL4HM3/H
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 40V AEC-Q101 Qualified
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS1FL4HM3/H electronic components. SS1FL4HM3/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS1FL4HM3/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS1FL4HM3/H Атрибуты продукта

номер части : SS1FL4HM3/H
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO-219AB
Серии : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 40V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 500mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 200µA @ 40V
Емкость @ Vr, F : 115pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-219AB
Комплект поставки устройства : DO-219AB (SMF)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • C4D10120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A

  • MMBD914LT1HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW