ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR32200C-6BLI

KEY Part #: K939935

IS43LR32200C-6BLI Цены (доллары США) [27370шт сток]

  • 1 pcs$2.00303
  • 240 pcs$1.99307

номер части:
IS43LR32200C-6BLI
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - Фильтры - Активные, PMIC - Регуляторы напряжения - Импульсные контролл, Линейные - аналоговые множители, делители, PMIC - Терморегулирование, PMIC - лазерные драйверы, Интерфейс - Сериализаторы, Десериализаторы, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс and PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200C-6BLI electronic components. IS43LR32200C-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR32200C-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR32200C-6BLI Атрибуты продукта

номер части : IS43LR32200C-6BLI
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти : 64Mb (2M x 32)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5.5ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 90-TFBGA
Комплект поставки устройства : 90-TFBGA (8x13)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit