IXYS - IXFQ50N50P3

KEY Part #: K6397666

IXFQ50N50P3 Цены (доллары США) [12758шт сток]

  • 1 pcs$3.55204
  • 10 pcs$3.19596
  • 100 pcs$2.62772
  • 500 pcs$2.20159
  • 1,000 pcs$1.91751

номер части:
IXFQ50N50P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFQ50N50P3 electronic components. IXFQ50N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ50N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ50N50P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFQ50N50P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4335pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 960W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.