IXYS - IXTZ550N055T2

KEY Part #: K6394783

IXTZ550N055T2 Цены (доллары США) [3966шт сток]

  • 1 pcs$13.14226
  • 20 pcs$13.07687

номер части:
IXTZ550N055T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 550A DE475.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTZ550N055T2 electronic components. IXTZ550N055T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTZ550N055T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTZ550N055T2 Атрибуты продукта

номер части : IXTZ550N055T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 55V 550A DE475
Серии : FRFET®, SupreMOS®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 550A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 40000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 600W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DE475
Пакет / Дело : DE475

Вы также можете быть заинтересованы в