Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3L-12BCN

KEY Part #: K939397

AS4C64M16D3L-12BCN Цены (доллары США) [24994шт сток]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66496
  • 25 pcs$1.62883
  • 50 pcs$1.61984
  • 100 pcs$1.45272
  • 250 pcs$1.44731

номер части:
AS4C64M16D3L-12BCN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.35V 1600Mhz 64M x 16 DDR3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Интерфейс - драйверы, приемники, трансиверы, Embedded - микроконтроллеры, Аудио специального назначения, PMIC - Контроллеры с горячей заменой, PMIC - PFC (коррекция коэффициента мощности), PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль and Embedded - DSP (цифровые сигнальные процессоры) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCN electronic components. AS4C64M16D3L-12BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D3L-12BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3L-12BCN Атрибуты продукта

номер части : AS4C64M16D3L-12BCN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Серии : -
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR3L
Размер памяти : 1Gb (64M x 16)
Тактовая частота : 800MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 20ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.283V ~ 1.45V
Рабочая Температура : 0°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 96-VFBGA
Комплект поставки устройства : 96-FBGA (8x13)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.