ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216EALL-55BLI-TR

KEY Part #: K938085

IS62WV51216EALL-55BLI-TR Цены (доллары США) [19114шт сток]

  • 1 pcs$2.39737
  • 2,500 pcs$2.23431

номер части:
IS62WV51216EALL-55BLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA. SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Память - Батареи, Интерфейс - аналоговые переключатели - специальног, Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном, Логика - Защелки, Логика - Сигнальные переключатели, мультиплексоры,, Часы / Сроки - для конкретного приложения, PMIC - текущее регулирование / управление and PMIC - выключатели распределения питания, драйверы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR electronic components. IS62WV51216EALL-55BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS62WV51216EALL-55BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS62WV51216EALL-55BLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS62WV51216EALL-55BLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 8Mb (512K x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 55ns
Время доступа : 55ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.65V ~ 2.2V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 48-VFBGA
Комплект поставки устройства : 48-VFBGA (6x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.