Nexperia USA Inc. - 74HCT2G66DP-Q100H

KEY Part #: K1188346

74HCT2G66DP-Q100H Цены (доллары США) [472090шт сток]

  • 1 pcs$0.08755
  • 3,000 pcs$0.08711

номер части:
74HCT2G66DP-Q100H
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
IC SWITCH DUAL SPST 8TSSOP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Встроенный - Микроконтроллеры - Специфично для при, PMIC - Супервайзеры, Часы / Время - Линии задержки, PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, Память - Контроллеры, PMIC - Терморегулирование and Часы / Сроки - для конкретного приложения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. 74HCT2G66DP-Q100H electronic components. 74HCT2G66DP-Q100H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 74HCT2G66DP-Q100H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

74HCT2G66DP-Q100H Атрибуты продукта

номер части : 74HCT2G66DP-Q100H
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : IC SWITCH DUAL SPST 8TSSOP
Серии : Automotive, AEC-Q100
Состояние детали : Active
Цепь выключателя : SPST - NO
Схема мультиплексора / демультиплексора : 1:1
Количество цепей : 2
Сопротивление в состоянии (Макс) : 95 Ohm
Сопоставление каналов с каналами (& Delta; Рон) : 5 Ohm
Напряжение питания - одинарное (V +) : 4.5V ~ 5.5V
Напряжение питания - двойное (V ±) : -
Время переключения (Тон, Тофф) (Макс) : 30ns, 44ns
Пропускная способность -3 дБ : 200MHz
Впрыск заряда : -
Емкость канала (CS (выкл.), CD (выкл.)) : 3.5pF
Ток - Утечка (IS (выкл)) (Макс) : 1µA
Перекрестная : -60dB @ 1MHz
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TA)
Пакет / Дело : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-TSSOP

Вы также можете быть заинтересованы в